Name: Infineon Technologies IMZ120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMZ120R220M1HXKSA1
Price: 6.2593 USD
Availability: InStock

Infineon Technologies IMZ120R220M1HXKSA1

Artikelnummer:

IMZ120R220M1HXKSA1

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies IMZ120R220M1HXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IMZ120R220M1HXKSA1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5.7V @ 1.6mA
Vgs (Max)	+23V, -7V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TO247-4-1
Serie	CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 4A, 18V
Verlustleistung (max)	75W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-4
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 18 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A (Tc)
Grundproduktnummer	IMZ120

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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